O JSM4N65C é um transistor MOSFET de potência (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) do tipo N-Channel, projetado para oferecer alta eficiência e robustez em uma ampla gama de aplicações eletrônicas.
Principais características e benefícios:
Alta Tensão de Dreno-Fonte (Vds): Suporta até 650V, tornando-o ideal para uso em circuitos que operam com tensões elevadas, como fontes chaveadas (SMPS).
Baixa Resistência de Condução (Rds(on)): Apresenta uma resistência máxima de apenas 4.0 ohms (com Vgs = 10V), o que minimiza as perdas por condução e melhora a eficiência energética geral do sistema.
Corrente de Dreno Contínua (Id): Capaz de conduzir uma corrente contínua de até 4A, suficientemente robusto para acionar cargas de médio porte.
Chaveamento Rápido: Graças à sua tecnologia MOSFET, oferece tempos de chaveamento (ligar e desligar) muito rápidos, essencial para aplicações de alta frequência onde a eficiência é crítica.
Capacitâncias de Baixa Carga: Isso contribui para reduzir as perdas durante o chaveamento e facilita o controle do transistor.
Aplicações Típicas: É um componente chave em projetos como:
Fontes chaveadas (SMPS) para equipamentos industriais e de consumo.
Circuitos de controle de motores e inversores (inverters).
Sistemas de iluminação LED de alta potência.
Circuitos de correção de fator de potência (PFC).
Em resumo, o transistor JSM4N65C é um componente de alto desempenho, confiável e eficiente, sendo uma excelente escolha para designers e engenheiros que buscam uma solução robusta para controle de potência em ambientes de alta tensão.
PERGUNTAS FREQUENTES
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